地址:苏州市相城区渭塘镇爱格豪路19号中汽零大厦3楼330室
山东金蒙新材料股份有限公司始建于2003年,位于山东省临沭县泰安路中段,占地面积260多亩。企业拥有员工近200人,其中:大中专毕业生32人,专业技术人员8人(高级职称2人,中级职称6人)。金蒙新材料公司是以生产碳化硅微粉为主的高新技术企业,拥有完善的碳化硅微粉生产线和工艺技术。金蒙建有质量检测中心,配备了专业的检测设备。年产碳化硅微粉20000吨,高品质耐火材料用碳化硅3500吨,碳化硅砂5000吨,产品质量严格按照日本工业标准(JIS)、欧洲标准...
碳化硅生产过程主要包括碳化硅单晶生长、外延层生长及器件制造三大步骤,对应的是碳化硅产业链衬底、外...
当前外延主要以4英寸及6英寸为主,大尺寸碳化硅外延片占比逐年递增。碳化硅外延尺寸主要受制于碳化硅衬...
当前,国内厂商碳化硅衬底生产的技术指标与国际主流厂商相比仍有明显差距。碳化硅衬底正在不断向大尺寸...
碳化硅在半导体中存在的主要形式是作为衬底材料,基于其优良的特性,碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬...
生长SiC单晶用的SiC粉体纯度要求很高,其中杂质含量应至少低于0.001%。在众多SiC粉合成方法中,气相法通...
生长SiC单晶用的SiC粉体纯度要求很高,其中杂质含量应至少低于0.001%。在众多SiC粉合成方法中,气相法通...
碳化硅晶圆的生产,是先要制备碳化硅衬底,目前其制备多采用改进Lely法、高温CVD法和溶液法,其中以改进...
碳化硅器件的出现推动了电力电子朝着小型化的方向发展,其中集成化的趋势也日渐明显。瓷片电容的集成较...
在进行芯片正面连接时可用铜线替代铝线,消除键合线与DBC铜层之间的热膨胀系数差异,极大地提高模块工作...
目前已有的大部分商用SiC器件仍采用传统Si器件的封装方式。传统封装技术成熟,成本低,而且可兼容和替代...
SiCf/SiC陶瓷基复合材料是指在SiC陶瓷基体中引入SiC纤维作为增强材料,形成以引入的SiC增强纤维为分散相...
碳纤维不仅具有密度低、比强度高、耐磨、耐腐蚀、导电、导热、摩擦系数低等特性,而且还具备十分优异的...
碳化硅(SiC)材料具有尺寸稳定性好、弹性模量大、比刚度大、导热性能好和耐腐蚀等性能,广泛应用于半导体...
高炉炼铁是钢铁工业普遍采用的炼铁工艺流程。在相当长时间内,高炉炼铁仍将是炼铁工艺的首*选。高炉出铁...
2018年,特斯拉在Model3电驱主逆变器上,率先采用了意法半导体供应的650VSiCMOSFET器件,碳化硅器件开始...
SiC器件具备的卓越性能,使其成为HEV电力驱动装置中的理想器件,可以显著减小电力电子驱动系统的体积、...
采用碳化硅作为光刻机等集成电路关键装备用精密结构件材料具有极大的优势。但是传统的陶瓷制备工艺如注...
集成电路制造关键技术及装备主要有包括光刻技术及光刻装备、薄膜生长技术及装备、化学机械抛光技术及装...
碳化硅陶瓷具有高的弹性模量和比刚度,不易变形,并且具有较高的导热系数和低的热膨胀系数,热稳定性高...
碳化硅具有很高的导热系数,同时其化学性能稳定、热膨胀系数小、耐磨性能好,并具有优异的抗热震性。所...
来自英国商会,一份新的市场研究报告“磨料磨具及其应用和全球市场值”的数据显示,2011年全球磨料磨具市场值为334亿美元。而研究报告称,2017年市场值有望增长到438亿美元,2011-2017年复合增长率为4.6%。
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